导带底与价带顶之间的能量差即称为禁带宽度（或者称为带隙、能隙），如图1-1为禁带示意图。

 图1-1 禁带示意图

宽禁带半导体通常是指禁带宽度大于2。2eV的半导体，也称高温半导体，主要包括第四主族半导体（金刚石、SiC）、III族氮化物（BN、AlN、GaN等）、过渡金属氧化物（Ti02、ZnO等）以及一些三元氧化物（SrTiO3、BiVO4等）。 来自~吹冰、论文|网www.chuibin.com +QQ752018766-

这些材料一般均具有较宽的禁带、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率，因此他们比Si及GaAs更适合于制作高温、高频及高功率器件。

如表1-2为宽禁带半导体材料的基本特性，由表1-2可知宽禁带半导体具有许多优点：

（1）WBG尤其是SiC与金刚石具有很高的热导率，这样可以使产生的热量散去，在高温及高功率领域应用前景好；

（2）WBG的禁带宽度很大的特点使得相应器件的漏电流极小，适用于制作CCD器件及高速存储器；

（3）WBG具有低的介电常数及高的电子饱和速率特点使其相比 Si，GaAs等材料更适合于制作毫米波放大器及微波放大器。