高比例活性晶面Sb2S3纳米晶的制备及性能研究(2)
3.2 光催化活性测试 15
3.3实验结果与讨论 16
3.3.1 用DMF作溶剂不同温度下制备的Sb2S3的光催化活性 16
3.3.2 用DMF溶剂不同反应时间下制备Sb2S3的光催化活性 18
3.3.3 不同溶剂下制备的催化剂的光催化性能比较 20
3.4本章小结 21
结 论 22
致 谢 23
参考文献 24
1 绪论
1．1 纳米材料简介
纳米材料是指在三文空间中至少有一文处于纳米尺度范围(1nm-100nm)或由它们作为基本单元构成的材料，这大约相当于10-100个原子紧密排列在一起的尺度。由于它的尺寸已经接近电子的相干长度，它的性质因为强相干所带来的自组织使得性质发生很大变化。并且，其尺度已接近光的波长，加上其具有大表面的特殊效应，因此其所表现的特性，例如熔点、磁性、光学、导热、导电特性等等，往往不同于该物质在整体状态时所表现的性质。
纳米结构是以纳米尺度的物质单元为基础按一定规律构筑或营造的一种新体系。它包括纳米阵列体系、介孔组装体系、薄膜嵌镶体系。目前对纳米阵列体系的研究集中在由金属纳米微粒或半导体纳米微粒在一个绝缘的衬底上整齐排列所形成的二位体系上。而纳米微粒与介孔固体组装体系由于微粒本身的特性，以及与界面的基体耦合所产生的一些新的效应，也使其成为了研究热点，按照其中支撑体的种类可将它划分为无机介孔复合体和高分子介孔复合体两大类，按支撑体的状态又可将它划分为有序介孔复合体和无序介孔复合体。
1．2 半导体材料简介
半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（Ω-3）-10（Ω-9）欧姆/厘米范围内。
反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。
半导体材料的种类繁多，按其成分上可分为由同一种元素组成的元素半导体和由两种或两种以上元素组成的化合物半导体；从结构上可分为处于单晶状态的半导体和处于多晶态或非晶态的半导体；从物质类别上可分为无机材料和有机材料；从性能上分，多数材料在通常状态下就呈现出半导体性质，但有的材料需要在特定的条件下才表现出半导体性能；按照载流子的特征可分为n型半导体、P型半导体、本征半导体。
1．3 半导体纳米材料的物理特性
1.3.1 量子尺寸效应
当微粒的尺寸接近或者小于其激子波尔半径时，费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象，和纳米半导体微粒存在不连续的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道能级，而使能带间隙变宽现象均称为量子尺寸效应[1]。
1.3.2 表面效应
表1.1 纳米微粒尺寸与表面原子数的关系
纳米微粒尺寸d（nm） 包含原子数 表面原子所占比例
10 3×104 20%
4 4×103 40%