真空蒸镀是是应用最早的物理气相沉积技术[7]，要求是在真空条件下，通过加热使镀膜材料气化并飞至基片表面凝聚成膜的工艺。真空蒸镀的优点是工艺设备简单易控、沉积速度快、薄膜的纯度和致密性高，但缺点是其膜层与基片的结合力、绕射性不理想。来`自+优-尔^论:文,网www.chuibin.com +QQ752018766-

离子镀需要的条件是真空状态，低压气体放电形成等的离子体使气体或被蒸发物质部分电离、激活，通过离子轰击使反应产物在基片表面沉积成膜。离子镀膜具有沉积速度快，膜层与基片结合强度高，膜层质量好等优点，被广泛应用于电子工业，工模具等领域。目前电弧离子镀是制备CrAlN的最常用方法。

溅射镀膜是一项在真空条件下使获得能量的高能能粒子轰击靶材，与靶材表面原子或分子交换能量后，使靶材表面的原子获得一定的能量并逸出，飞向在基片，并在基片表面沉积成膜的技术[8]。溅射镀膜技术的优点主要有：表面清洁、操作简单、工

艺重复性好、易于实现自动化控制等，因此在工业生产中被广泛应用。根据电极结构的不同，溅射镀膜可以分为二极溅射、三极溅射、四极溅射和磁控溅射等[9]。