涂江平课题组夏新辉研究员与中山大学卢锡洪教授设计出氮掺杂的硒化钼负载垂直石墨烯阵列材料。VG是一种好的导电基底，具有快速的电子传输性能，并且多孔结构为气泡的溢出提供了通道，氮掺杂进一步改善了其性能。有趣的是N掺杂获得了1T和2H相的MoSe2，1T相的MoSe2具有金属的性质，展现出低的禁带宽度。1T相的引入大大的提高了MoSe2本身的电子电导性，并且N掺杂的MoSe2进一步提供了析氢的活性位点。综上所诉，氮掺杂的硒化钼负载垂直石墨烯阵列材料展现出好的析氢性能。

李克锋等人采用电镀及复合电镀技术，将电极的属性进行了差别化的配置，其中包括了Ni-Mo、Ni-S、Ni-Co-Mo等多重电极、Ni-S-Co-Mo纳米电极等，这些电极在与1mol/LAlCl3融合后，定量化的标准会有所改变，这些都可以通过图表的形式进行体现[9]。

1.2.4研究内容

制备Fe3O4超疏水纳米粒子氧化物，接着在150℃-200℃下进行硫化，得到金属硫化物Fe7S8纳米粒子。然后通过分析XRD、SEM和TEM扫描图对材料进行表征，推断样品的元素构成、分布结构、含量等信息，并通过使用电化学工作站测试得到数据并整理绘制成LSV、Tafel和AC曲线以验证其电化学性能。

1.2.5可行性分析

本课题实验内容新颖，创新度高。超疏水纳米粒子的制备在2004年nature上发表，至今技术成熟，许多课题组能够成功制备该纳米材料。且通过近年来的研究发现，过渡金属硫化物具有良好的电催化析氢性能，不亚于水制氢或Pt系贵金属催化析氢。

实验室已经具备的相应的实验条件，拥有电热套、电化学工作站等，设备较为齐全。但仍存在一些困难，如：高温热分解法制备纳米粒子直径不容易控制；硫化温度需要探索。