1。2 基于二噻吩并噻咯小分子衍生物的历史研究

DTS的合成早于1998年就被Ohshita等人[5]第一次报道了，所合成途径大致如下：有机锂试剂与二卤代联二噻吩反应生成二锂中间体，然后利用卤硅烷使其硅基环化得到。

DTS的合成路线

随着科研水平的进步，Ohshita等人[4]于2001年相继报道了一系列2,6位被芳基(如苯、噻吩、吡啶等)取代的联噻吩噻咯的衍生物。取代基不同，对材料的电子传输性能也有很大影响。比如在器件中，Alq3是作为发光层，TPD和DTS(Py)2则分别作为空穴与电子传输层，其最大的荧光效率可以达到16000 cd/m2。

 DTS衍生物1(DTS(Py)2)结构式来*自-优=尔,论:文+网www.chuibin.com

2002年，Ohshita等人[6]用硅原子连接两个联噻吩合成两个不同系列的双联噻吩噻咯化合物2-6。2和5被分别作为电子传输材料，TPD和Alq3分别作为空穴传输材料和电子传输材料来生产电致发光器件。单个联噻吩噻咯在固态薄膜中堆积的方式使载流子的跃迁变得更加容易。

在2004年，Ohshita等人[7]在噻咯环上连苯并噻吩和N-甲基吲哚，噻咯衍生物7跟8首次合成。通过电化学理论计算可以看出，引入硅桥联将大大降低HOMO-LUMO能隙。这种共轭体系在功能材料领域有望发挥重要作用。

  DTS衍生物2-8的结构式

在2006年，Ohshita等人[8]合成噻咯衍生物9用的是Stille偶联反应。用真空沉积的方法涂层镀膜，测定它的迁移率是2。6×10-5 cm2/Vs；旋涂制模，其中测得它的迁移率为1。2×10-7 cm2/Vs。

  DTS衍生物9的结构式

2007年，Ohshita等人[9]制备出发光性能比较好的噻咯衍生物10-14。在二噻吩噻咯的2,6位上连接二芳基膦，两者之间有一定的电子相互作用，以提高共轭程度。当磷原子被氧化，荧光量子产率在溶液状态下就会大幅度提高，但硫化之后的荧光量子产率却降低了。10在固体状态下的荧光量子产率远远要高于在溶液中，这有可能是因为磷和硅上存在的大的苯基取代基把发光基团包住了，这阻碍了固态中发光基团的一些相互作用，从而可以有效地抑制荧光淬灭。