多孔硅含能材料阵列的制备与测试(4)
除了这些方法，多孔硅还可以通过其它方法制作，这里不做赘述。
1.3 本论文研究内容
本实验意在寻求制备外观性能优越的多孔硅阵列，通过实验数据观察得出腐蚀条件与多孔硅形貌之间的关系。并在多孔硅中注入氧化剂，制成含能芯片，对样品外观进行表征，进行点火试验，总结发火影响因素。目的是为MEMS火工品提供新的制备技术。
通过电化学腐蚀法结合光刻技术制成多孔硅阵列，应用不同浓度的蚀刻液和不同的电压电流强度和时间，优化多孔硅阵列制备工艺条件；利用超声填充技术和离子镀膜，将氧化剂填充到多孔硅阵列并形成发火桥，通过进行不同方式的点火，配合高速摄影观察不同工艺条件工艺与多孔硅发火的关系。
2 多孔硅阵列制备工艺
2.1 光刻
2.1.1 光刻原理[15]
光刻工艺与照相技术非常相似，它一般利用紫外光通过掩模版上的图形窗口，照射基底上的光敏薄膜，从而在基底上形成所需的图像。通过光刻工艺，可以将掩模上的图像“转移”到基底上，实现所需要微小图形的加工。本实验需要将多孔硅进行小型化，产生多孔硅阵列，所以硅片要首先经光刻处理，用适当的掩膜板将硅制成阵列后再进行电化学腐蚀。如图2.1所示即为光刻工艺示意图。
(a) 正性光刻胶光刻图示 （b）负性光刻胶光刻图示
图2.1 常见的光刻工艺
2.1.2 实验仪器设备
在光刻工艺中，光刻机、掩模版和光刻胶是完成光刻工艺的三个最基本要素。
（1）光刻机：本文使用的是中国科学院光电技术研究所研制的URE_2000A型紫外深度光刻机，如图2.2所示。采用接触式曝光，曝光面积为110mm×110mm，分辨力≤1μm，能够提供高强度、平行性好的紫外光源，可以较好地满足实验要求。
图2.2 URE_2000A型紫外深度光刻机
（2）掩模版：通常用于微电子行业的掩模材料为镀铬玻璃板，通过电子束图形发生器直接将计算机中的图形还原到光刻板上，精度很高，图形分辨力也较高，满足本文实验的需求。本实验模具在正方形掩模版的边角设计了三角形图形对准标记，为后续光刻的图形套准提供了便利。
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