射频低噪声放大器的设计+电路图(3)
3.低噪声放大器的设计与仿真
3.1低噪声放大器的设计要求
本次设计要求利用ADS软件设计工作在2.4GHz频段的低噪声放大器，指标优化，NF达到1.0以内，增益G不低于30dB，驻波系数好于2.0:1，并利用仿真手段进行分析验证。
3.2晶体管的选择与直流分析
ADS软件的元件库中有多种晶体管，经考察选取Avago公司的高电子迁移率晶体管芯片“ATF54143”。该放大器具有低噪声的优点，符合设计需求。在Avago公司的网站下载“ATF54143”的模型后，在元件搜索窗口输入“ATF54143”，并将元件放入原理图中，进行直流分析。具体设计步骤如下：
将元件按照如图1所示的方式连接起来，构成晶体管的直流分析电路。将DC_FET控件中的起始栅极电压项修改为0，终止栅极电压项修改为1，栅电流值采样点数目修改为11。运行仿真，仿真结果如图二所示。从ATF54143的数据手册上可以看到噪声与Vds和Ids的关系，在2GHz时，当Vds=3V且Ids=20mA时，噪声最小，满足设计要求，因此晶体管的直流工作点就设为Vds=3V，Ids=20mA。
