GaAs毫米波单片集成数字移相器的研究+文献综述(6)

的耗尽层厚度外，沟道区域实际上处于导通状态。这样，当电流小于沟道饱和电流 dss
时，FET可模拟为一个线性电阻器。当加载一个负栅源电压时，并使 gsp VV > 时，沟
道区域中的自由电荷载流子被完全耗尽。在这种条件下，FET可模拟为一个电阻和电
容的串并联组合网络。FET中与电阻性和电容性区域相关的部分如图2-3（a）所示。
假定栅极代表在工作频率点的一个高 RF 阻抗，关状态等效电路可表示为一个电阻和
一个电容的并联，如图 2-3（b）所示。当 1 dss g g I Cr ω >> 时，有效的漏源电容简单地
等于（ 2 sd g CC + ），有效的漏电阻等于 d r 与 22
2( ) g g Cr ω 的并联值。开关FET的优点
指数可以表示为其有效的关状态电阻与开状态电阻的比值。