微波低噪声放大器的设计与仿真+文献综述(2)
通信系统中,衡量通信质量的一个重要指标是信噪比。通常,提高信号功率比较困难,而改善信噪比的关键就在于降低接收机的噪声系数,因此需在接收机前端安置低噪声放大器。一个具有低噪声放大器的接收机系统,其整机噪声系数将大大降低,从而灵敏度大大提高,信噪比也得到改善。此外在本振信号或混频器与天线之间放置低噪声放大器限制了信号通过天线向空间辐射和本振信号通过混频器漏到天线。低噪声放大器位于射频接收机前端，如果其增益足够大，就能抑制后面各级电路的噪声，则整个系统的噪声系数将主要取决于放大器的噪声。低噪声放大器的性能制约了整个接受系统的性能，对于整个接收系统水平的提高，也起了决定性的作用[1]。
1.2 发展历史和现状
到上世纪四十年代微波晶体管的问世，由于其体积小、重量轻使得其成为微波固体器件的一个重要分支。到了吹冰十年代中期，由于平面外延工艺的发展，双极晶体管能够应用于微波射频波段。而且，随着半导体材料和工艺的迅速发展，场效应晶体管紧接着也应用于微波射频频段。微波晶体管放大器具有宽频带、稳定性好、噪声性能好、动态范围大等优点。
在过去的二十几年，低噪声技术有了长远的发展。在80年代早期，低噪声放大器的噪声性能已经相当出色了，然而其体积重量都比较大，功耗也比较大。卫星地面终端对低噪声、重量轻、低功耗以及高可靠性同时提出了要求，当时的低噪声放大器还很难同时达到上述要求。随着分子束外延(MBE)和金属有机化合物化学汽相淀积(MOCVD)等晶体生长技术、“能带工程”原理在器件设计中的成功应用，以及电路匹配技术，器件工艺技术的发展，人们开发了许多新型的半导体器件。除砷化钾场效应晶体管(GaAs FET)外，其佼佼者有高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)。1981年法国Thomson－CSF公司研制成功第一个低噪声HEMT，在10GHz下，NF为2.3dB，Ga为10.3dB。在之后的五年里，HEMT已取得了显著的进展，成为公认的最适于毫米波应用的低噪声器件之一。在60GHz下，用GaAs基的HEMT器件能够达到NF＝1.7dB，Gain＝7.6dB。InP-HEMT在1987年问世之后的几年里，噪声性能已提高到令人惊奇的程度，是目前毫米波高端应用最好的低噪声器件。在60GHz下，InP-HEMT能够达到NF＝0.9dB，Gain＝8.6dB。目前，用HEMT制作的多级低噪声放大器已广泛用于卫星接收系统、电子系统及雷达系统。
微波电路是以微波混合集成电路(MIC)的形式出现的，它是把微波无源元件制作在塑料、陶瓷、蓝宝石等介质基片上．再把微波半导体器件装配(焊接)在基片上。1989年，由混合微波集成电路技术制成的三阶InP基放大器在60-65GHz频段内，已达到噪声系数3.0dB，其相关增益为22dB。三年以后，使用0.1μm InP基HEMT制成的三阶放大器在60GHz下已达到1.6dB的噪声系数，其相关增益16dB。
高电子迁移率晶体管及异质结双极晶体管的出现和GaAs工艺的成熟，给微波单片集成电路(MMIC)的发展奠定了基础。在MMIC中，通常由各种器件、集总参数元件和分布参数元件按照一定的电路拓扑排列而构成。从电路的结构上来看，这和混合微波集成电路有着很多相似的方面，两者既有联系又有区别。在MMIC中的元件包括有源元件和无源元件两类。主要是利用MESFET或HEMT作为有源元件。无源元件除了各种形状的传输线构成的分布参数元件外，一些集总元件也经常使用。
进入90年代，随着晶体材料技术和微细加工技术的发展，毫米波MMIC进入实用化阶段。MMIC开始主要应用于军用系统，90年代以来，MMIC在商用产品中开拓了广阔的市场。这主要是商用无线通信市场，如低轨道卫星移动通信、环球定位卫星系统等[2-5]。