2。3 试样制备的总体工艺流程 

本产品在前期研究和调研基础上，示意图如图2-4，其实施显影路线主要包括几个步骤：

（1）利用多靶磁控溅射系统在衬底上制备50nm的金属Cr/Cu种子层，作为底层线圈电镀的引导层；

 （2）甩正性光刻胶AZ4620厚度为20um，然后利用程控烘箱进行光刻胶的前烘；

 （3）随后通过双面曝光机SUSS-MA6进行曝光、显影，实现底层线圈的图形化；

 （4）利用自动电镀循环系统进行底层线圈的制备，厚度为20um；

 （5）底层线圈制备好之后，在底层线圈的基础上进行非晶丝和非晶带的定位和固定；

 （6）非晶丝/带定位好之后，利用多靶磁控溅射系统物理沉积第二层种子层Cr/Cu厚度50nm，作为支撑柱的电镀引导层；

 （7）甩正性光刻胶AZ4620厚度为40um，然后利用程控烘箱进行光刻胶的前烘；

 （8）通过曝光、显影技术，实现第一次金属支撑柱的电镀，高度为40um；

 （9）继续进行甩胶、曝光、显影，进行第二次金属支撑柱的加工，厚度为40um； 

 （10）再次进行甩胶、曝光、显影，进行第三次金属支撑柱的加工，厚度为40um； 

（11）然后利用抛光、整平技术，进行表面化处理；来自~吹冰、论文|网www.chuibin.com +QQ752018766-

（12）利用多靶磁控溅射系统沉积第三层种子层Cr/Cu50nm，作为上层线圈的电镀引导层；

（13）甩正性光刻胶AZ4620厚度为20um，然后利用程控烘箱进行光刻胶的前烘；

（14）通过曝光、显影技术，实现上层金属线圈的电镀；

（15）通过Dicso高精度划片机进行器件的切割；

（16）对器件中的光刻胶进行释放；

（17）对器件中多余的金属种子层进行去除和清理。