GaN-ZnO异质结发光二极管的性能调控(4)
的原子可能会扩散到生长的薄膜材料的难题，以防生长的薄膜质量不理想，不能满足制备器
件的需要。这些优势使得 ZnO 成为制备室温蓝紫光 LED 的首选材料。作为一种短波长光电
子材料，ZnO有望在蓝紫光、紫外光以及短波长发光二极管和激光器上发挥重要作用。
1.2 n-ZnO/p-GaN 异质结 LED研究进展
1.2.1 纤锌矿型结构
一般情况下，ZnO和GaN 都属于纤锌矿结构的晶体。图 1.4（a）所示的是纤锌矿结构的
单胞。图 1.4（b）是其晶体结构示意图。可以看出，GaN 的晶体结构存在两套基本的密排吹冰
方结构（hcp），并沿 c 轴平行移动了 3/8c 距离后组成了子晶格。每个 Ga 连接着四个 N，五
个原子共同组成了组成四面体结构。目前商业化使用的生长在蓝宝石衬底（0001）面上的GaN就是纤锌矿结构。