铕掺杂锗酸铋红光LED材料的制备与发光性能(3)
1.3.2 吸收机制 在显示器和照明器件，在 UV范围内的励磁磁通不能被有效地通过 Eu3+的4f-4f吸收跃迁，这是由选择禁止规则。为了获得一种有效的荧光体，有必要以吸收辐射通过允许过渡。由于Eu3+离子容易降低，电荷传输带将出现在低能量。 通过电荷转移吸收的能量（CT）的频带将被转移到 5DJ水平，最终使发光 7FJ的物质。在CT带的位置取决于配位体的性质，其大小和主机阳离子的性质和该点的配位数。所述多个共价的基质是，在 CT频带的较高的能量（YBO3> Y2O3> Y2O2S）。因此，Y2O3：Eu荧光体只能有效地激发在 254纳米（线性荧光灯经典的汞排放），同时 YBO3：Eu 的只能在更高的能量（172纳米，在经典的 Xe–Ne激发线激发 PDP的应用程序）。它不能在经典照明使用。 最商业化的Eu3+基于荧光体（或曾经是）： Y2O3：Eu3+：荧光灯（管和紧凑型）照明，LCD 背光，等离子显示器，投影电视（射线管技术） （Y，GD）BO3：Eu3+：等离子显示器 Y2O2S：Eu3+：CRT Y（V，P）O4Eu3+：高高压水银荧光灯（改善指数） 今天，由于技术的演进，将“YOX”荧光体，即，(Y，Eu)2O3是在几乎所有的应用中使用。粒径，Eu含量以及一些微调次要共掺杂也已经被开发，以提高其性能。另一个非常重要的优点是它的高化学稳定性。