1。3 研究内容及要解决的问题

1。3。1  ZnO纳米阵列制备

通过水热法制备ZnO纳米阵列，并探究其生长机理及其光催化原理。

1。3。2 CdS/ZnO纳米阵列制备

通过水热法—超声辅助化学沉积法制备CdS/ZnO纳米阵列，并探究不同溶液浸渍及其浓度和次数对其光催化性能的影响。

1。3。3。 CdS/Ag/ZnO纳米阵列制备论文网

通过水热法—超声辅助化学沉积法制备CdS/Ag/ZnO纳米阵列，通过对实验条件的调节和控制，探究不同浓度的银溶胶对CdS/Ag/ZnO纳米材料光催化性能的影响，比较该复合材料与CdS/ZnO复合材料的光催化性能，并探究其优于ZnO纳米材料的原因。

1。3。4 表征分析

利用扫描电镜(SEM)对其结构和形貌分别进行表征。

1。3。5光催化实验

通过紫外分光光度计比较了纳米ZnO ，CdS/ZnO纳米阵列，CdS/Ag/ZnO纳米阵列对甲基橙的降解率，并对其光催化性能进行了比较。并探究了在自然光下氧化锌及其复合材料对酸性大红GR的降解率。

1。4 研究方法

1。4。1文献查阅法

1。4。2 实验法

1。5 国内外研究现状

1。6 本文的研究思路内容和创新点

氧化锌纳米阵列膜的光催化活性虽然较高，但大量研究表明，它的光催化活性可以进一步提高。影响光催化活性的因素很多，如氧化锌纳米材料有更多的晶格缺陷，一些缺陷可能成为电子空穴复合中心，降低了反应活性。不同形貌的氧化锌会影响其比表面积，从而影响催化活性，较大的比表面积，较高的光催化效率；晶粒尺寸大小会影响光催化活性，较小的颗粒尺寸的氧化锌，光催化活性较高。简言之影响氧化锌纳米阵列膜的光催化活性主要的原因有两点：ZnO的禁带宽度大，只能利用紫外光，而紫外光仅占太阳光的4％一7％，量子产率低；光生电子一空穴对容易在Z／10晶体内部复合，分离效率低，针对这两点原因，为提高氧化锌的光催化活性的方法已经有很多，如半导体复合、掺杂和贵金属修饰等方法。 来*自-优=尔,论:文+网www.chuibin.com

    因此本文基于纳米氧化锌的基本性质，以及影响氧化锌光催化性能的因素，采取多种方法提高其光催化性能。首先以锌片为基质底片，用硝酸锌和乌洛托品（六亚甲基四胺）为原料，用水热合成法制备纳米氧化锌阵列。实验方法简单，环境友好，并研究了锌片斜插入反应釜的角度对氧化锌结构和形貌的影响。在第一步的基础上，用超声辅助化学沉积法制备CdS/ZnO纳米阵列，并探究了溶液沉积的次数对复合材料光催化的影响。现在国内外对氧化锌上复合多种材料的研究较少，而本文利用贵金属掺杂原理，在CdS/ZnO的基片上继续复合纳米Ag，探究能否进一步其提高光催化效率，是一个创新点。选用甲基橙为降解目标物，通过降解初始浓度为10ppm的甲基橙溶液对所制备的样品进行了光催化性能的研究和比较。本文的另一个创新点是探究了在自然光下氧化锌对酸性大红GR的降解效果。