摘要本文采用静态阻垢法对五种阻垢剂:丙烯酸-丙烯酸羟丙酯共聚物(T-225)、两种不同生产厂家的羟基亚乙基二膦酸(HEDP)、丙烯酸与2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸的共聚物(即AA-AMPS共聚物)、氨基三甲叉膦酸(ATMP)在低温下的阻垢性能进行研究,通过系列实验,比较了五种阻垢剂在低温下的阻垢性能及最佳的阻垢剂用量。实验结果表明:阻垢剂效率随浓度增长而逐渐增加,当阻垢剂浓度达到一定值时,阻垢效率趋于稳定,在阻垢剂浓度为10mg/L时各阻垢剂阻垢率都较高。通过比较低温下各阻垢剂在此用量下的阻垢率大小,得出在该条件下,HEDP阻垢性能最优越,AA-AMPS共聚物阻垢性能最差。26342
    关键词  静态阻垢法  低温  阻垢性能
毕业论文设计说明书外文摘要
Title      The research on performance of conventional scale   
                     inhibitors in low temperature            
Abstract
The performance of five scale inhibitors (acrylic - hydroxypropyl acrylate copolymer,1-hydroxy ethylidene-1,1-diphosphonic acid produced by two different manufacturers, 2 - acrylamide - 2 - methyl propane sulfonic acid copolymer, amino trimethylene phosphonic acid) in low temperature was studied by static anti-scaling method. The performance of five inhibitors in low temperature was compared by a series of experiments, and the best dosage of scale inhibitors was found. The result of the tests showed that the efficiency of inhibitor has a saturation point with the growth of dosage. When the scale inhibitor dosage is 10mg/L, the inhibiting efficiency of all of the scale inhibition are higher. Comparing the anti-scaling efficiency of the five scale inhibitors in the low temperature under the dosage, 1-hydroxy ethylidene-1,1-diphosphonic acid anti-scaling performance is the best, and the worst is 2 - acrylamide - 2 - methyl propane sulfonic acid copolymer.
Keywords  static anti-scaling method  low temperature  scale inhibiting performance
目   次
1  绪论    1
1.1  冷却循环水的简单介绍    1
1.1.1  冷却循环水的性质及结垢原因    1
1.1.2  冷却循环水的国家标准    1
1.1.3  水垢的来源及种类    1
1.1.4  水垢的危害    3
1.2  各种测定阻垢率的方法    3
1.2.1  动态阻垢法    3
1.2.2  静态阻垢法    3
1.2.3  其他测定方法    4
1.3  国内外学者所做的工作以及相应成果    5
1.3.1  研究相关历史进程    5
1.3.2  相关成果及发展趋势    6
1.4  课题意义及研究内容    7
2  实验    9
2.1  原料及仪器    9
2.2  实验方法    9
2.2.1  标准阻垢剂溶液的配制    10
2.2.2  标准溶液的配制    10
2.2.3  试样溶液的配制    10
2.2.4  钙离子浓度分析    10
2.3  计算方法    11
3  结果与讨论    12
3.1  阻垢剂浓度对阻垢率的影响    12
3.2  温度对阻垢剂阻垢率的影响    15
3.3  低温下常见阻垢剂性能的对比    17
结  论    19
致  谢    20
参考文献21
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