SCB结构示意图
图1.1 SCB结构示意图
    张文超[7]选用金属钛或铬做复合半导体桥的金属桥膜，硅片上低压化学气相沉积多晶硅为基片，金为电极，然后对其芯片进行了设计与制作，其芯片的工艺流程图如图1.2所示。选择不同的复合膜材料，设计相应的结果、桥区尺寸、桥膜调制比以及调制周期等参数，以满足不同的能量需求，是提高半导体桥点火能力的有效途径[16]。
 图1.2 复合半导体桥芯片制作工艺流程简图
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