微流控芯片结构设计及其性能表征(5)
2.3.2 曝光、显影及去铬层
曝光的主要目的是将掩膜上的微结构图形精确地转移到光胶层上，这一过程中的重要媒介。光胶根据其曝光后的不同效果可划分为两种基本类型：一种是在曝光时聚合物发生链断裂分解而变得更容易溶解（正型），一种是在曝光时发生交联反应形成较曝光前更难溶的聚合物（负型）。注意曝光之前需要进行显影液和去铬液的配制。
显影液：1%NaOH；配方为：1gNaOH和99mLH2O；
去铬液：乙酸：17.5mL，硝酸铈铵：100g，加水稀释至500mL。
本研究中使用中国科学院光电技术研究所生产的URE_2000A型紫外深度光刻机，该机提供接近式和接触式两种曝光方式，定时、定剂量两种曝光控制方式，操作较为方便，曝光质量较好。具体操作如下：
（1）打开光刻机预热15min，注意冷却水及风扇的运转是否正常；
（2）在室温18～24℃、湿度不高于50%、红色灯光下（防止光胶曝光作废），取出匀胶铬版（注意不要触碰涂有光胶的一面），将光掩膜小心的覆盖在匀胶铬版上面，因为胶片制的掩膜一般较轻且有卷曲，为了使其与光胶层紧密接触，提高曝光质量，在其上再覆盖一块用作盖片的玻璃；
（3）将其整个置于光刻机上，曝光60s（虽然本光刻机光强较大，但有一层玻璃阻挡，经过实验得出60s最为合适）；
（4）曝光结束后，将玻璃基片浸入显影液中，显影30s左右，立即用去离子水冲洗干净，置于Memmert UNP200烘箱中110℃坚膜15min（为了去除残留的显影液，并增强其耐腐蚀性）；
（5）将坚膜后的玻璃基片置于去铬液中，轻微震荡30s左右或更长时间，图形区露出透明玻璃表面时，用去离子水冲洗干净；
（6）关闭光刻机。
2.3.3 化学湿法刻蚀
刻蚀是指在基材表面将光胶层上的平面二文图形加工成具有一定深度的立体结构的过程。根据原理的不同可划分为物理刻蚀和化学刻蚀；相据所选刻蚀剂的不同，可划分为湿法刻蚀和干法刻蚀；根据产生通道的截面形状不同，又可划分为各向同性和各向异性刻蚀两类。加工玻璃一般最常用的是化学湿法刻蚀。如果刻蚀剂从基片表面开始向下腐蚀的速率与在其他各方向大至相同，这种刻蚀就是各向同性的。玻璃的湿法刻蚀就是各向同性的。