Table 1。Initial substrate and SCN- level during the short-term effect test来*自~优|尔^论:文+网www.chuibin.com +QQ752018766*

Test aims Substrate concen。     (mg L-1) SCN- concen。

(mg L-1) Exposure time

(h)NH4+-N NO2--N

Short-term effect at fixed initial substrate level 100 100 0,50,200,400,600,800,1000,1500 0

Short-term effects at various initial substrate levels 70 70 0 and 400 0

140 140 0 and 400

210 210 0 and 400

280 280 0 and 400

350 350 0 and 400

Short-term effects at exposure times 0 0 0 24,48,72

0 0 400 24,48,72

100 100 400 24,48,72

2。3。数学模型

改进的非竞争性抑制模型[23]（如方程（1）所示）用来表示不同浓度的硫氰酸根离子对厌氧氨氧化菌的抑制影响作用：

                                   （1）

这其中（％）是用来表示为抑制的响应，[SCN−]是用来表示为硫氰酸盐的浓度（mgL-1），b是用来表示为一个拟合的参数，a则是用来表示为IC50（mgL-1)。

使用Mond的方程式来表达基质去除率和基质浓度之间的关系（如方程（2)所示）：

这其中q是用来表示为基质的去除速率（mg N d-1 g-1 VSS），qmax是用来表示为最大的基质的去除速率（mg N d-1 g-1 VSS)，S是用来表示为底物（mg L-1）的浓度，KS则是用来表示为一个半饱和的常数（mg L-1）。