摘要随着电子科技的发展，柔性显示以其轻薄、可弯曲、低成本等优点，将在未来显示中占据重要地位。宽禁带半导体氮化镓、氧化锌已成为未来电子、光电和功率器件应用中最有前途的半导体。为实现基于第三代半导体的柔性显示器件，本论文对以下内容进行了研究学习：1、宽禁带半导体的基本特性 2、宽禁带半导体材料的低温制备方法 49685

3、无机/聚合物复合电致发光器件  最后，根据以上知识的学习提出了一种基于ZnO纳米棒/有机材料的复合电致发光器件结构。 

毕业论文关键词   ZnO纳米棒　GaN  低温制备技术  有机/无机复合电致发光  　

毕业设计说明书外文摘要

Title   Research on low-temperature preparation technology of  wide band gap semiconductor devices.                                  

Abstract

With the development of electronic technology, flexible display will take an important role in future display with the advantages of being thin, flexible

and low cost. Wide band gap semiconductors, Gallium Nitride（GaN）and Zinc Oxid（ZnO）have become the most promising semiconductors in electronic and optoelectronic and power devices for future applications. In order to realize the flexible display device based on the third generation semiconductor, the following contents are studied in this paper： 1.Basic properties of wide band gap semiconductors  2.Low temperature preparation method of wide band gap semiconductor materials   3.Inorganic / polymer composite electro luminescent device        Finally, a structure of composite electro luminescent device based on ZnO Nanorods / organic material is proposed based on the learning of the  above knowledge .

Keywords  ZnO nanorods，GaN,low-temperature preparation technology

organic/inorganic composite electroluminescence

目   次

1  引言    3

1.1 研究背景   3

1.2 研究状况   4

1.3 本文主要工作   5

  2  宽禁带半导体的结构与特性  6

  2.1  氮化镓、氧化锌的基本晶体结构  6 

2.2  氮化镓、氧化锌的基本特性    7

  3  宽禁带半导体材料的低温制备技术研究  9

  3.1  氮化镓的生长技术    9

3.2  氧化锌的生长技术     16

  4　常用宽带半导体器件研究   17

  4.1  无机／聚合物复合电致发光器件的研究   17

  4.2  基于ZnO纳米棒的发光器件结构设计   27

结论      33

致谢      34

参考文献    36

1  引言

1.1研究背景 

    近年来，器件开发的进步已经使硅半导体技术达到了材料的理论极限。尽管硅依然是首选的半导体，但研究和工业界也在对宽禁带半导体氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）进行深入的基础与应用开发研究。除了宽带隙的特点外，宽禁带半导体还具有良好的光学和电学特性。只有它们的直接带隙可以更容易地集成其他光学器件。由于GaN电导率的控制已经实现，所以P-N结器件如LED和LD已经可以在市场上买到。

    氮化镓是固态光源的可选择材料，具有紫外、蓝色和绿色部分的光谱，在荧光粉的帮助下还可以实现白光。它的优异性能不仅在蓝色和紫外发光二极管上得到验证，而且在射频高功率和高温器件上也有应用。氮化镓高电子迁移率晶体管作为下一代射频功率晶体管技术具有高功率、高效率以及比以砷化镓和硅为基础的技术更宽的带宽的优点。