二硅化钼复合镀文献综述和参考文献
硅和钼在不同条件下可生成Mo3Si、Mo5Si3和MoSi2三种金属间化合物，而目前只有二硅化钼具有使用价值。二硅化钼的熔点为2030℃，密度是6.31g/cm3，具有良好的化学稳定性、优良的热稳定性和较低的电阻，其R特性更是被认为是一种非常有前途的高温结构材料[4-5]。
二硅化钼MoSi2是Mo-Si二元合金系中含硅量最高的一种中间相，由于硅和钼这两个原子半径相差不多电负性又比较接近，因此它们组成了具有严格化学成分配比的道尔顿(Daltnide)型金属间化合物[6]，呈现特殊的Cllb型体心正方晶体结构，但这只是在温度低于1900℃时，一旦温度高于这个数值，二硅化钼则会变为C40的形态。由于两种原子的连接具有金属键和共价键的特征，二硅化钼具有金属与陶瓷的双重特性[7]，是一种性能优异的高温结构材料和电热元件。可是由于制备过程较慢，生产成本较高，导致不能大批量地投入生产[8]。
1.2.2 脉冲复合镀的概念
复合镀(Composite Coating)又称为分散度，是用电镀或化学镀方法使金属和固体微粒共沉积获得复合材料的工艺过程。
脉冲电镀是近几十年来发展起来的一种新型电镀技术。当电流导通时，在一个脉冲周期内，阴极区附近金属离子被沉积，在材料表面形成了一层结晶细致的合金镀层。当电流关断时，阴极区的放电离子质量浓度逐渐恢复，脉冲电镀就是利用电压或电流的张弛，增加阴极的活化计划，也降低了浓差极化，从而改善沉积层的物理化学性能[9]。
将脉冲镀技术与复合镀技术结合形成的脉冲复合镀技术，是近年复合镀技术的又一新发展。脉冲复合镀体系的研究表明脉冲参数如占空比、脉冲频率等的改变对复合镀复合镀层的硬度及耐磨性有着显着的影响。
1.2.3 复合镀的机理及特点
复合电沉积机理归纳起来有三种理论：吸附机理、力学机理和电化学机理，而模型以Guglielmi模型、MTM模型、Hwang模型、抛物线轨道模型、YehS.H模型等为主，以下主要介绍Guglielmi模型。
Guglielmi模型是由意大利的Guglielmi于在其提出的两步吸附理论上建立的相应模型。两步吸附理论认为携带着离子和溶剂分子膜的微粒吸附在电极表面上，与阳极发生物理性质的弱吸附；随后处于弱吸附状态的微粒，脱去它所吸附的离子和溶剂化膜，与阳极表面直接接触，形成不可逆的电化学吸附，就成为强吸附步骤[10]。
第一阶段：要使微粒大量、均匀地沉积在基质中，必须使微粒悬浮于镀液中并在流体动力因素作用下不断向阴极表面迁移，可通过搅拌实现。
第二阶段：在界面电场的作用下，微粒上的吸附膜消除，在高电位电梯度双电层内，带电微粒受电场力的作用吸附在阴极表面。
第三阶段：化学吸附的微粒被不断的金属基质所掩埋，在掩埋过程中，外界的冲击作用仍可使微粒脱落而重新进入溶液中。
复合材料综合了它的其他组成相的特点，根据复合镀层基质金属（或合金）不同和分散微粒不同，会获得具有更高的硬度、更高的耐磨性和良好的自润滑性、耐热性、耐蚀性和特殊功能的复合材料[11]。
复合镀不必加热，因而对集体金属或合金的原始组织、性能不产生影响，工件也不会发生变形。
在同一基质金属或合金中，可沉积数种性质各异的固体微粒，同一种固体颗粒也可沉积在不同德基质金属或合金中，从而获得多种多样的复合镀层。