Co掺杂含量对SiC薄膜磁性能影响文献综述和参考文献(2)
2.主要内容和研究方法和思路
研究该课题的内容：
（1） Co掺杂SiC薄膜的掺杂含量：采用射频磁控溅射法共溅射法，在p型Si(001) 衬底上制备3，4，5，6片Co掺杂的SiC薄膜,制备掺杂有Co不同浓度的SiC薄膜
（2） Co掺杂SiC薄膜的晶体结构：使用X射线光电子能谱（XPS）对薄膜进行表征，测出Co原子在薄膜中的含量
（3） Co掺杂SiC薄膜的表面形貌及膜厚：X射线衍射仪分析Co掺杂SiC薄膜的表面形貌及膜厚
（4） Co掺杂SiC薄膜的价态分析：对薄膜进行了X射线光电子能谱（XPS）表征，XPS分别对制备态不同浓度掺杂和不同退火态不同浓度掺杂的薄膜进行了表征
（5 ）Co掺杂SiC薄膜的X射线吸收精细结构分析：Co掺杂浓度对SiC薄膜磁性的影响的研究
该课题的主要研究方法：（1）文献研究法；（2）实验分析法
研究思路：首先制备掺杂不同Co浓度的SiC薄膜，然后利用实验仪器研究不同掺杂Co浓度下薄膜的内部结构，最后说明不同掺杂Co浓度对SiC薄膜磁性能的影响。
3 总结：随着人们对稀磁半导体研究技术的逐渐成熟，有期望可以在半导体材料中同时利用电子及其自旋，制备磁、电性能一体化的新材料，并且应用于传输、存储、处理信息等方面。
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