之前的一些研究报告已经提出，制备金属硅化物纳米线的方法已经有三种被广泛应用：（1）用硅烷等作为CVD的硅源，使其在金属薄膜上反应；（2）汽化金属或者金属的卤化物，使其在硅基片上反应；（3）将金属（金属卤化物）和硅同时作为反应源，将其同时交付到反应基片上。其中最常用的方法就是用金属的卤化物作为金属源，将其交付到硅基片上进行反应。一般来说，由于硅片是反应系统中唯一的硅源，金属卤化物的气相源会首先和硅基片反应，同时伴随有卤素分子X2（例如Cl2）产生；而同时随着温度的继续上升，其反应产生的副产品中可能会出现硅的卤化物（例如SiCl4），在反应过程中，这类副产品的产生可能是不可避免的；随后这一类副产品将作为新的硅源与金属气相源开始反应。以我们制备锰硅纳米线为例，以下就是整个过程中可能发生的三个反应方程式。来*自~优|尔^论:文+网www.chuibin.com +QQ752018766*

2。3 电子显微镜的表征方法

扫描电子显微镜（SEM）是利用高能电子束与样品作用而产生的二次电子成像。由于二次电子的产额跟入射电子束与其接触表面的夹角有关，夹角越大，产额越大。因此，表面起伏越大，衬度越高，表面越平坦，衬度越低。因此，利用二次电子成像，能够直观地反应样品的表面形貌。本文是利用Zeiss Supra 55型肖特基场发射扫描电镜（图5）对样品的表面形貌进行表征，其分辨率在15 kV可达0。8 nm，加速电压为20 V – 30 kV。同时，利用该电镜上配置的牛津电制冷能谱仪，搜集样品在高能电子束照射下发出的X射线信号，对样品成分进行分析。