CCD器件昨早于1970年由BTL实验室首先提出。是基于集成电路表面工艺和半导体表面界面理论基础上产生的新器件。40多年来，CCD器件取得了惊人的进步。美国是世界上最早发展CCD器件也是现阶段技术最为领先的国家，在应用领域尤其是军事领域大尺寸和高分辨率都是首要要求，现美国贝尔实验室已作、做出最大分辨率为9216*9216像素的大面阵CCD器件。美国的CCD研究以国家实验室、大学、企业共同发展为特征，制作出的设备严格收国家控制，使其在出口上获得极大利润。日本是世界上第二大的CCD研发生产国家，尤其在民用领域，索尼、东芝、松下、佳能等公司都能批量生产高分辨率CCD器件，日本企业正已惊人的速度创造和升级新的CCD器件。其次加拿大、法国、英国的一些公司也在该领域有较大贡献。我国自1976年开始进入该领域以来，虽然国家大力投入，然而由于起步较晚和西方的科技封锁，至今仍落后西方国家十年以上。目前国内在研究帧转移可见光CCD取得巨大进展，解决了图像成像缺陷，改善了调制传递函数，正向工程化突破。但国内的CCD研究进展尚不够迅速，还没有形成批量生产能力，就CCD的应用潜力而言，最多发挥了1%左右。
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