反铁磁的各向异性磁电阻效应及其电场调控(3)
磁性材料可以存储万亿的比特，但是在磁化翻转的过程中，磁性介质本身的性能并没
有发生改变。对于科技和基础科学，特别是电磁学和自旋电子学，外在调控磁性材料
性能的能力是迫切需要的[14,15]
。为了使调控磁化的技术与半导体制备兼容，电场调控
磁化这一途径备受研究者的青睐。
2000 年，H.Ohno 等[16]
报道了使用绝缘门电极场效应晶体管结构，在半导体合金
(In,Mn)As 薄膜中实现了铁磁体的电场调控。通过施加电场，可以等温可逆地改变空
穴诱导的铁磁性的转变温度。D.Chiba 等[17]
通过施加电场改变(In,Mn)As 载流子的浓
度，成功地调控了磁化翻转所对应的矫顽力。紧接着，他们通过施加电场，调控了
(Ga,Mn)As 中的空穴浓度和磁各向异性，继而操纵了磁化矢量[18]
（如图 1.3 所示）。随
着越来越多关于电场调控磁性的报道，电场调控磁性的研究逐渐显示出其重要性。