金属卤化物钙钛矿材料的合成及阻变行为研究(3)
2.读出操作 为了防止存储单元的阻态在读出过程中发生变化，读出电压 Vrd应小于写入电压 Vwr。另外，由于电路设计的限制，读出电压 Vrd不能小于写入电压 Vwr的十分之一。一个额外的要求来源于最小的读取电流 Ird。在通路状态下， Ird应不小于 1微安以实现放大器快速检测的目的。读出时间 trd一定要小于或者等于写入时间 twr。 3.阻值比 尽管在磁随机存取存储器中，通过特殊的电路设计，仅为 1.2到1.3“开”状态下的阻值RON与“关”状态下的阻值ROFF的比值仍能被检测利用，然而对于小巧而高效的放大器而言，仍然要求 RON/ROFF大于10。
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