PVT法生长SiC晶体中层错缺陷研究(4)
在RF／微波应用方面，SiC MESFET正在同GaN HEMT竞争以代替移动电话基站和极高频段(UHF)广播通信中所用Si的LDMOS(横向扩散MOS)器件。高频元器件也可望用于军工应用的L和S频段(如雷达和干扰系统)。SiC MESFET的平均售价如果与现行使用的磁控管成本相当的话，微波加热将是一个巨大的市场。SiC MESFET在Cree等公司己进入预生产阶段[10]。
SiC材料具有多种特性，三种晶型材料就可满足主要应用要求。目前商品SiC晶片直径为3英寸(半导电)和2英寸(半绝缘)。4英寸晶片即将面市。这就可与现行标准半导体系列设备兼容。现在生产出的SiC晶片微管（micropipes）密度还太高，以致难以用单一晶片制出工作电压2kV以上的器件。
目前SiC材料市场实际上被Cree公司所垄断且尚未出现较有实力的竞争者。光电应用是SiC材料的主要消费领域，其消费量预计以每年20％以上的速度增长。但现在用Si衬底也制出了蓝色光(GaN基)LED(虽然亮度和成品率有待改进)。市场上第一只紫光激光二极管(LD)是在蓝宝石衬底上制作的，现在正努力研制“自由站立”(free—standing)GaN；这些情况意着：SiC可能失去(作为GaN基器件衬底)的部分市场；虽然如此，据统计预测：2003年，在SiC衬底上生产的光电子器件市场达到5亿美元，2007年可达12亿美元，年复合增长率为24％[11]。
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