本实验样品为典型芯片三极管座SCB,并联的防护元件为:SFI0603-080C、SFI0603-120C、SFI0603-270C三种型号的压敏电阻,实验条件为47µF、22V(100%产生等离子体的最小电压)。
典型芯片SCB、并联SFI0603-080C压敏电阻的SCB、并联SFI0603-120C压敏电阻的SCB和并联SFI0603-270C压敏电阻的SCB四种样品各数发在此条件下进行发火,得到各自电压、电流动态变化曲线的实验数据,再将所得数据导入ORIGIN软件处理绘图(见图3.5-3.8)。
 
图3.5 典型SCB发火电流电压曲线
图3.6 并联SFI0603-080C压敏电阻SCB发火电压电流曲线
 
           图3.7 并联SFI0603-120C压敏电阻SCB发火电压电流曲线
 
           图3.8 并联SFI0603-270C压敏电阻SCB发火电压电流曲线
分析图3.6,并联的SFI0603-080C压敏电阻中有电流通过,因为此型号压敏电阻击穿电压为8V左右,所以在22V电压作用下有电流通过,符合预期估计结果。
分析图3.7,并联的SFI0603-120C压敏电阻中有电流通过,因为此型号的压敏电阻击穿电压在12V左右,因此在22V电压作用下被击穿,有电流通过,符合预期估计结果。
分析图3.8,并联的SFI0603-270C压敏电阻中几乎没有电流通过,也就是说将SFI0603-270C压敏电阻并联于SCB两端,由于它的击穿电压在27V左右,两边加载22V电压时压敏电阻不被击穿,在甚低频发火电路中等效于一个无限大的电阻,其所在的分路相当于断路,因此不会分走发火电流。对比图3.5电压电流曲线,SCB爆发时间及峰值点均无明显差异。
对所得实验数据分析处理,得到四种SCB爆发时间及发火能量,实验结果如下表所示:    
    表3.2  四种SCB电爆性能参数
类型    编号    T/µs    E/mJ    T均值/µs    T偏差/µs    E均值
/mJ    E偏差/mJ
典型SCB并联SFI0603-080C压敏电阻        

典型SCB并联SFI0603-120C压敏电阻
典型SCB并联SFI0603-270C压敏电阻    26
对比并联压敏电阻SCB和未并联压敏电阻SCB的电爆性能参数并进行t检验,发现并联三种压敏电阻均不会对SCB的电爆性能产生显著影响,结果见表3.9。
        表3.3  并联几种压敏电阻对SCB电爆性能影响t检验结果
比较项    T/µs    E/mJ
SCB与并联SFI0603-080C压敏电阻SCB    t= 0.6044<2.145无显著差异    t=0.002434<2.145 无显著差异
SCB与并联SFI0603-120C压敏电阻SCB    t=0.7011<2.145 无显著差异    t=0.1479<2.145 无显著差异
SCB与并联SFI0603-270C压敏电阻SCB    t=0.5908<2.145无显著差异    t=0.8499<2.145 无显著差异
3.4 本章小结
由表3.3的t检验结果我们可以得出以下结论:
(1)并联SFI0603-080C压敏电阻前后典型芯片SCB的电爆性能并未发生显著性变化。
(2)并联SFI0603-120C压敏电阻前后典型芯片SCB的电爆性能并未发生显著性变化。
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