卷绕式真空镀膜机总体及送丝结构设计开题报告(4)
司的VS．24磁控溅射系统，这些设备主要用于3”～5”硅片工艺生产在线。华晶集团98
年引进的美国AM 公司的(适用于6”、的生产线)，属我国目前已引进的最先进的磁控溅
射系统。目前美国Varian公司的M2000型、M2i型、MB 型磁控溅射系统、AMi公司的
Endura／Endura XP型磁控溅射系统、MRC公司的GAKAXY．1000型磁控溅射系统都是适
用于大硅片(200．300mm)、亚微米级(0．8-0．25 m)的大批量生产设备。其特点都是多
室、多源结构，阶梯形式的真空系统无交叉污染，先进的磁控溅射源(Quantum Source)
和CMP技术的采用，使线条宽度已向实用化0．1l u m、技术研究0．09u m发展。这些多室的溅射系统不仅能适用PVD工艺，而且可灵活的组合发展为作PVD工艺和CVD工艺组
合，大大地扩展了设备的使用范围。
从半导体集成电路用磁控溅射设备和电子束蒸发设备上看，国产设备与国外九十年代
具有先进技术水平的设备相比差距主要在于：从结构形式上看，国产设备多为单室、双室
系统，国外设备已发展为多室系统：从硅片的传输上看，国内设备多为单片大盘，手动上
下片，国外设备为盒到盒的进出片系统和中央传片机械手的自动上下片及传片方式；从真
空系统的设置上，国内设备多为单、双室真空系统，国外设备为多室闸阀阶梯形式的真空
系统，这不仅使溅射室能获得10-6_10‘’Pa量级上的超高真空度，而且使各工序的交叉污染大大降低；在磁控溅射源上国内设备基本上采用平面溅射源，国外设备有平面、锥形、
与平面组合，适用于贵重金属特有的VersaMag磁控溅射源和更为先进的“Quantum”磁控
溅射源，“Quantum”磁控溅射源的采用能提供最佳的对称台阶覆盖(即使8”-12”硅片
4也是如此)，在高纵横比的沟道内外均可获得均匀台阶覆盖，膜厚的均匀性分布在±3％
以内；在基片的加热方式上国内设备一般采用直接辐射加热，国外设备多采用基片背面气
体加热方式，使基片的加热既快捷均匀，而且加热温度可提高到400．--550"C， 以满足
工艺的需求；从设备的生产能力上看国内设备生产率低，一般在20片／小时以下，国外设备生产率高，一般都在45~90片／小时范围内。
从电气控制的自动工艺程控方面，国内设备自动工艺程控水平较低，人工干预手动操
作较多，国外设备都有全工艺过程的自动控制系统、参数的显视系统和故障自动诊断系统，
这样确保了成熟工艺在大规模生产中的应用，提高了批量的质量，也使设备的利用率大大
提高。
德国应用薄膜(APPLIED FILMS) 意大利伽里略(GALILEO VACUUM TEC) 通用真空设备(GENERA L)
电容器类 MUL IMET W65O
MUUrIWEB W65／5O
包装装饰类 T0PMET V2／HRLine DELTA
T0PBEAM M EGA Line
2.1.3电容器、包装和装饰金属化膜材的应用
卷绕真空镀膜主要是利用电阻蒸发、电子束蒸发、磁控溅射技术在带状的非金属和金
属基材上镀制具有装饰和保护特性的包装和装饰膜材、具有电学特性的电容器用金属化薄
膜带材，具有磁纪录特性的录像带、软盘用带材，同时该类镀膜也用于软性电子学电路膜
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