温度对SiC半导体材料载流子浓度文献综述和参考文献
论文的主要内容主要通过做实验与查阅资料，理解并掌握SiC半导体性质，即SiC的结构、状态以及掺杂物、温度对它的影响等各方面的特点。进而研究SiC半导体材料载流子各方面的性质，主要是亲自动手实验，通过改变温度，观察和分析SiC半导体材料载流子浓度有何变化，进而得出温度对SiC半导体材料载流子浓度的影响。
2. 与课题有关的文献内容：
《半导体SiC材料研究进展及其应用》作为第三代的半导体材料，SiC具有带隙宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。文章综述了碳化硅的发展历史，介绍了SiC材料的生长工艺技术,并简要讨论了SiC器件主要应用领域和前景。
《形貌多元化SiC纳米材料生长、结构及其性能研究》：本文主要研究了用相对简单经济的方法合成多种形貌和结构的SiC纳米材料，观察分析了产物的形貌、结构和缺陷组态,测试了包括光致发光性能和拉曼光谱在内的物理和光学性能。测试手段涉及X射线衍射、场发射扫描电镜、(高分辨)透射电镜和能谱、光致发光光谱和拉曼散射谱。在上述基础上，对合成和生长机理，SiC纳米材料的形貌和结构缺陷对SiC纳米材料性能的影响等方面也展开了较深入的研究。通过将Si蒸汽蒸发到置于氧化铝基片上的碳纳米管的方法，将碳纳米管转化成高质量的单晶3C-SiC纳米棒。整个反应过程是Si蒸汽与碳纳米管活性高的区域反应，生成了随机取向的3C-SiC晶核，而在众多的沿111方向生长的SiC晶核中，只有其生长方向与碳管长度方向一致的晶核才可以连续生长直至生长成实心的SiC纳米棒。碳纳米管的一文几何构型在生长SiC纳米棒的过程中起到了空间限域效应，并且碳纳米管的初始形貌对SiC纳米棒的形貌有着重要的影响。研究表明，随着反应时间的延长，SiC纳米晶须的外形从不规则的短棒状或者蠕虫状逐渐变为规则的长而直的棒状，并且最终形成具有棱柱状形貌和结构的SiC纳米晶。