温度对SiC半导体材料载流子浓度文献综述和参考文献(2)
《碳化硅MOSFET的高温模型及关键工艺研究》：本文对SiC MOSFET器件的高温特性作了详细的研究，着重讨论了影响器件高温条件下输出特性的诸多因素，并就目前的工艺水平对SiC MOSFET制作的关键工艺—欧姆接触进行了实验研究。 研究了SiC中载流子“冻析效应”、沟道迁移率及本征载流子浓度等在不同温度下对SiC MOSFET阈值电压的影响：源漏接触电阻及SiC二极管反向饱和电流随温度的变化关系。 论文提出了一个带温度补偿的SiC MOSFET解析模型。该模型通过将阈值电压，体漏电流，源漏薄层电阻等在高温条件下对输出电流变化的影响等效为与源漏沟道并联的等效电流源。通过对该模型仿真得到，高温条件下漏电流的变化主要是由阈值电压的变化引起的，同时体内缺陷的存在导致在漏。衬端Poole-Frenkel效应明显，体漏电流不可忽略，并且随着温度的升高，其所占比例不断增大，逐渐成为Ids的重要组成部分。 实验研究了SiC欧姆接触工艺。
《SiC单晶的性质、生长及应用》：本文综述了SiC单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等，详细地介绍了大尺寸SiC晶的PVT法制备和该过程中的关键要素，分析了PVT法制备的SiC单晶中所存在的缺陷及其成因。
《3C-SiC的结构和热力学性质》：本文利用第一性原理平面波模守恒赝势密度泛函理论研究了3C-SiC的结构，其零温（0K）零压下的晶格常数、体弹模量及其对压强的一阶导数、弹性常数的计算结果与实验值和其它理论计算结果相符合。通过准谐德拜模型，得到了不同温度不同压强下的热容和德拜温度，发现热容随着压强增加而减小，德拜温度随压强增加而增加，并成功地获得了相对晶格常数、相对体积、体弹模量、热膨胀系数与温度和压强的关系。
《n型4H-SiC材料有效载流子浓度和霍尔迁移率温度特性的研究》：本文建立了n型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型，得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度变化的曲线。考虑了五种散射机制对霍尔迁移率的影响，模拟了电子霍尔迁移率随温度变化的规律.在温度较低且掺杂浓度较高时，中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大，而在温度较高时，谷间声子散射成为主要的散射机制。
《碳化硅晶体载流子浓度的分析及多孔碳化硅的制备》：本论文首先针对基于LOPC模测量载流子浓度的理论方法进行了详细的分析和论证，建立了较为合理的理论方法；在室温下获得了n型4H-和6H-SiC的拉曼光谱，借助拉曼光谱对结构和缺陷进行了分析检测；观察到了杂质对于SiC晶体某些本征拉曼散射峰的影响，通过拟合n型4H-和6H-SiC晶体的LOPC模的线形得到等离子体共振频率，并由此给出载流子浓度的理论计算值；另外，利用霍尔效应测量了掺杂碳化硅晶体的载流子浓度，实验和理论计算值二者符合得很好。研究结果表明对于n型4H-SiC和6H-SiC晶体，利用拉曼光谱可以较准确地给出材料的载流子浓度、晶型以及缺陷分析，具有简单易行的特点。
《碳化硅器件的温度特性及其关键工艺研究》：本课题从器件物理角度出发，建立了适合SiC器件工作机理的器件模型，通过引入温度系数研究了不同器件的温度特性。重点研究了三个方面内容：(1)SiC BJTs的重要器件参数厄利电压的温度特性；(2)SiCMESFETs的亚阈值区域的温度特性；(3)通过修正SiC MOSFETs补偿电流源模型研究了其高温特性。
3. 参考文献：
[1] 王辉,琚伟伟,刘香茹等.半导体SiC材料研究进展及其应用科技创新导报[N].2008: 1.
[2] 王辉,琚伟伟,刘香茹等.射频反应溅射Si_3N_4薄膜的性质和表面钝化作用[J].2008,(1): 56.