基于MS3110的电容式MEMS加速度计微电容读出电路设计(6)
ERN D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 A3 A2 A1 A0 SP(首位)
数据书写时序图如图2-2所示。
图2-2 写EEPROM时序图
直接写控制寄存器则只需用到两个引脚，分别是SDATA和SCLK，本文采用这种工作方式。
当TESTSEL位为逻辑低电平时，用户可以通过串行数据流和时钟信号将修正值和控制字写入移位寄存器。数据流里要填写58位数据。下图为相应的时序图表，显示了在60个选通沿写入修正值和控制字的次序。注意，用户可以只对58个选通沿进行操作而忽略前两个无关紧要的位，且在这个模式中HV16和WRT引脚未定义。
图2-3 写控制寄存器时序图
表2-2 数据格式
DX 控制位名称 DX 控制位名称 DX 控制位名称 DX 控制位名称
D0 任意值 D15 CS1_7 D30 任意值 D45 B3
D1 任意值 D16 CS1_8 D31 CSELCT0 D46 B2
D2 CS2_5 D17 CF0 D32 CSELCT1 D47 B1
D3 CS2_4 D18 CF1 D33 CSELCT2 D48 B0
D4 CS2_3 D19 CF2 D34 CSELCT3 D49 任意值
D5 CS2_2 D20 CF3 D35 SOFF D50 D2
D6 CS2_1 D21 CF4 D36 OFF4 D51 D1
D7 CS2_0 D22 CF5 D37 OFF3 D52 D0
D8 CS1_0 D23 CF6 D38 OFF2 D53 T0
D9 CS1_1 D24 CF7 D39 OFF1 D54 T1
D10 CS1_2 D25 CF8 D40 OFF0 D55 T2
D11 CS1_3 D26 CF9 D41 B7 D56 T3
D12 CS1_4 D27 任意值 D42 B6 D57 R0
D13 CS1_5 D28 GAINSEL D43 B5 D58 R1
D14 CS1_6 D29 任意值 D44 B4 D59 R2
3) MS3110的编程位
MS3110工作过程的建立主要通过写各编程位来完成，这些编程位包括所有需要设置的信息，例如，电流参数、电压参数、振荡器修正值、偏置修正、前置电容修正、增益选择等。当芯片用于检测不同种类的电容式加速度计时，调节这些参数，可以减小零偏，使芯片的工作状态更稳定。表2-3是设计中主要使用到的MS3110各编程位及其描述。