PLC磁控溅射镀膜设备温度控制系统设计
摘要：在工业生产中磁控溅射温度控制系统的稳定性和控制精度扮演着非常重要的角色，PLC控制系统在稳定性和控制精度方面表现优异。本次论文的软件操作平台使用的是STEP7，控制系统选取了S7-200作为核心部件。在实现信号转换时采用了SM331作为信号处理模块，它可以实现模拟信号的A/D转换。S7-200为不同的用户提供了非常多的组织模块来满足不同的需要，在循环执行中断与扫描时采用OB35组织块，然后循环调用子模块来实现温度的精确控制。该系统的设计更加简化而且相比原有系统性能有了明显的改善，系统的反应时间不仅大大缩小，而且稳定性也更加优异，提高了工业的生产效率和自动化水准。42931
毕业论文关键词：磁控溅射；温度控制；控制精度；S7-200
Design of Temperature Control System of Magnetron Sputtering Coating Equipment Based on PLC
Abstract: In the industrial production, the stability and control accuracy of the magnetron sputtering temperature control system plays a very important role, and the PLC control system has excellent performance in stability and control precision. The software operating platform of this thesis uses STEP7, and the control system selects S7-300 as the core component. In the realization of signal conversion using SM331 as a signal processing module, it can realize the analog signal A/D conversion. S7-200 for different users to provide a very many organizational modules to meet the needs of different cycles in the implementation of the interrupt and scan the OB35 organization block, and then loop called sub module to achieve the precise control of temperature. The design of the system more simplified and compared to the performance of the original system has been significantly improved, the reaction time of the system not only greatly reduced, and the stability is more outstanding, improve the production efficiency and automation level of the industry.
Key Words: Magnetron sputtering; Temperature control; Control accuracy; S7-200
目 录
摘要 1
引言 2
1.1 课题研究现状 2
1.2课题研究面临的问题 3
2. 镀膜设备的构成及相关部件 3
2.1设备构成及相关部件 3
2.2 设备工艺流程 4
3. 系统设计 4
3.1扩展温度控制模块 FM35 4
3.2 扩展模拟量输入/输出模块 5
3.3 输入输出控制 6
4. 软件组态 8
4.1 硬件配置 8
4.2 功能块FB58的调用 8
4.3 参数设置 10
5. 触屏界面设计 11
5.1 温度监控系统设计 11
6. 结论 12
参考文献 12
附录 13
致谢 17
基于PLC的磁控溅射镀膜设备温度控制系统设计
引言
磁控溅射镀膜技术是当今社会广泛应用到各种工业场合的一种薄膜沉积方法。在工业制膜中采用磁控溅射技术所制备的薄膜的性能在各方面都很优秀，比如说他的光学性能、耐腐蚀性、紧密性。但是这些性能都受到制膜过程中温度变化的影响。当温度调控精确时制备的膜才具有这些优秀的性能，如果在制膜过程中温度的偏差较大，那么生产的膜结构和性能也会大大降低。比如说工业生产中沉积二氧化硅的时候，当真空室里的温度变化不均匀时基片上的薄膜的质量明显降低，被轰击而产生的靶粒子不会沉积到基片上而是反射到磁道内。那么这样制备的膜就会产生固体结构变化，他的性能就不会满足工业生产的要求。