Ni-γ-Fe2O3/SiO2复合镀层的制备工艺+文献综述(9)
样品1：S = 0.068m, I (光亮镍）= 204mA, I（复合镀镍）= 272mA, t = 34s
样品2：S = 0.064m, I(光亮镍） = 192mA, I（复合镀镍）= 256mA, t = 35s
样品3：S = 0.062m, I（光亮镍）= 186mA, I（复合镀镍）= 248mA, t = 33s
样品4：S = 0.066m, I（光亮镍）= 198mA, I (复合镀镍）= 264mA, t = 34s
样品5：S = 0.071m, I（光亮镍）= 286mA, I（复合镀镍）= 268mA, t = 34s，
样品6：S = 0.068m, I (光亮镍）= 204mA, I（复合镀镍）= 272mA, t = 34s
2.2.2.3确定厚度(δ)
加热镀镍液200ml到t=60℃ → 打磨试片 → 入镀槽前在5% 氯酸浸30s → 蒸馏水冲洗 → 入槽电镀 → 先镀光亮 Ni 20min → 在阴极放置电磁铁 → 取2ml三氧化二铁/二氧化硅分散液 → 滴入复合镀槽200ml中 → 60s后电镀（电镀的时间按照电流密度来计算）→ 把试片洗干净 → 吹干
电磁铁条件：I = 0.1A
光亮镀镍和复合镀镍Jk = 4A/dm2 , 厚度（δ）每次不一样：400nm, 1000nm, 1600nm, 2200nm
最后一个样品条件： δ= 2800nm， 光亮镍镀（Jk) = 3A/dm2 ,复合镀（ Jk) = 4A/dm2
使用不同样品的面积和不同厚度，按照这下条件来计算复合镀的时间和电流密度
使用公式：(δx ρ x S）= (K x I x t)
Ρ = 8.9 g/cm3, K = 1.095g/ah
样品1：S = 0.048m, δ = 400nm, I = 192mA, t = 23s
样品2：S = 0.046m, δ = 1000nm, I = 184mA, t = 59s
样品3：S = 0.048m, δ = 1600nm, I = 192mA, t = 90s
样品4：S = 0.048m, δ = 2200nm, I = 184mA, t = 130s
样品5：S = 0.038m, δ = 2800nm, I = 152mA, t = 158s
2.2.2.4确定加Fe2O3/SiO2 颗粒的量(n)
加热镀镍液200ml到t=60℃ → 打磨试片 → 入镀槽前在5% 氯酸浸30s→ 蒸馏水冲洗 → 入槽电镀 → 先镀光亮 Ni 20min → 在阴极放置电磁铁 → 取(实验条件定的）三氧化二铁/二氧化硅分散液 → 滴入复合镀槽200ml中 → 60s后电镀（电镀的时间按照电流密度来计算）→ 把试片洗干净 → 吹干
光亮镀镍条件：Jk = 3A/dm2
复合镀条件：Jk = 4A/dm2
电磁铁条件：I = 0.1A
二氧化硅/三氧化二铁的量每一次增加：1ml, 4ml, 6ml, 8ml, 10ml
使用公式：(δx ρ x S）= (K x I x t)
Ρ = 8.9 g/cm3, K = 1.095g/ah, δ= 600nm
样品1：S = 0.044m,I（光亮镍）= 132mA, I（复合镀镍）= 176mA，t = 34s
样品2：S = 0.044m,I（光亮镍）= 132mA, I（复合镀镍）= 176mA, t = 34s
样品3：S = 0.046m,I（光亮镍）= 138mA, I（复合镀镍）= 184mA, t = 34s
样品4：S = 0.044m,I（光亮镍）= 132mA, I（复合镀镍）= 176mA, t = 34s
样品5：S = 0.044m,I（光亮镍）= 138mA, I（复合镀镍）= 176mA, t = 34s
3.实验结果与分析
按照实验分析结果我确定了Ni-γ-Fe2O3/SiO2复合镀层的制备工艺4个主要因素：加Fe2O3/SiO2 颗粒的量，电流密度，电磁铁的强度和复合镀层的厚度。
3.1确定光亮镀镍和复合镀镍电流密度(Jk)：
方法一：
这方法的主要条件是没一个样品的不同的复合镀电流密度：Jk = 2A/dm2, Jk = 2.5A/dm2, Jk = 3A/dm2, Jk = 4A/dm2, Jk = 4.5A/dm2。按照分析样品1,2没成功，它们两个都有相同的样子。按照分析图沉积的Fe2O3/SiO2 粒子比较少和它们的互相之间距离很远。磁性性能不强。
样品2
样品3的结果比样品1和样品2更好，但是还是不符合需要的要求。沉积的Fe2O3/SiO2粒子更多，但是互相之间的距离还是比较远。磁性性能不太强。
样品3
样品4和样品5算成功的，能清楚看到沉积的Fe2O3/SiO2 粒子，很接近跟实验需要的条件。所以可以结论电流密度为4A/dm2和4.5A/dm2符合实验需要的要求。