核壳结构荧光多孔二氧化硅的制备(3)
图 1. NaYF4:Yb/Er@SiO2 样品的红外图谱
从图1可以看出样品在1100cm-1处有强吸收，这是二氧化硅的特征吸收峰，说明样品已经成功包裹上二氧化硅。
2.2 XRD表征
对得到的NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2-CTAB样品，用X射线衍射仪对样品微观结构进行表征。NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2-CTAB样品的小角XRD衍射图、NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2-CTAB样品的广角 XRD 衍射图，分别如图2、图3所示：
图 2. NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2-CTAB 样品的小角XRD 衍射图
图 3. NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2-CTAB 样品的广角 XRD 衍射图
从图2可知包裹模版剂的NaYF4:Yb/Er样品出现了规则的介孔结构，从图3中可以看到在28o，32o，47o，56o有衍射峰，说明该NaYF4:Yb/Er样品为α型。
对除去CTAB模版剂的NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2样品，用X射线衍射仪对样品微观结构进行表征。如图4所示：
图 4. 样品的XRD图
(A) NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2-CTAB样品 (B) NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2 样品
从图4可以看出除去CTAB模版剂后的样品的介孔有序程度降低了，造成这种现象的原因可能是CTAB坍塌所致，也可能是加热回流所致，目前具体原因现在还不太清楚。
2.3荧光光谱表征
对得到NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2-CTAB和NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2样品，用荧光光谱仪分别对其发光强度进行表征。如图5、图6所示：
图 5. 样品荧光光谱图
(A) NaYF4:Yb/Er (B) NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2-CTAB 图 6. 样品荧光光谱图
(A) NaYF4:Yb/Er (B) NaYF4:Yb/Er-nSiO2-mSiO2
从图5可以看出包裹CTAB模版剂的NaYF4:Yb/Er样品的荧光发光强度明显低于NaYF4:Yb/Er样品，从图5图6中可以看出在波长540nm左右时，包裹CTAB模版剂的NaYF4:Yb/Er样品的荧光发光强度在2500，除去CTAB的NaYF4:Yb/Er样品的荧光发光强度在1000；在波长660nm左右时，包裹CTAB的NaYF4:Yb/Er样品的荧光发光强度在2000，除去CTAB的NaYF4:Yb/Er样品的荧光发光强度在800；说明制得的除去除去CTAB的NaYF4:Yb/Er样品的荧光发光强度比包裹CTAB的NaYF4:Yb/Er样品的荧光发光强度要低，发光强度出现了反常，具体原因仍在研究之中。