Mazuguchi小组当时采用了两步固相反应法分别在常压和高压的条件下来合成

LaO1−xFxBiS2样品。他们发现，当 x=0。4的时候，LaO1−xFxBiS2体系才开始显示出超导电性，而当x=0。5时掺杂的情况最佳，这个时候的超导临界温度可达10。6K（高压条件下）。常温下合成的LaO0。5F0。5BiS2的磁屏蔽体积只有13。4%，而高压条件下合成的LaO0。5F0。5BiS2的磁屏蔽体积可以达到100%。另外该超导样品的晶体参数c明显减小了，这两个现象不仅说明了该体系的F离子的掺入量可以随着压强的增大而增加，也说明了该超导样品具有超导性。来*自~优|尔^论:文+网www.chuibin.com +QQ752018766*

除了上面提到的LaO1−xFxBiS2之外，CeO1−xFxBiS2也被证实具有超导电性[9]，该超导体是利用Ce元素来替代LaO1−xFxBiS2中的La 元素制备的，由于La、Ce、Pr、Nd处于同一族。和CeO1−xFxBiS2相似， 在正常态能表现出微弱的半导体行为的NdO1−xFxBiS2（x=0。1-0。6 的该样品在2K温度，体积屏蔽数超过 90%）也能实现超导。根据掺杂情况的分析，发现所有样品中，NdO0。7F0。3BiS2的超导临界温度是最大的，其上临界磁场强度大约可以达到5。2T[11]。在CeO1−xFxBiS2 (x=0。1-0。6)体系中，x=0。5的样品具有最高超导转变温度（Tconset=3K），它的晶体结构与LaO1−xFxBiS2相似，空间群为 P4/nmmz。需要注意的就是，CeO1−xFxBiS2出现了在铜氧化物超导体和铁基超导体中从未出现过的现象，那就是超导体的超导性是伴随着其绝缘的正常态一起出现的。此外，该小组还指出 CeO0。5F0。5BiS2样品和CeOBiS2 样品中铁磁序和超导序是可以共同存在的，而且这两种超导样品在将近5K的时候均存在着铁磁转变。