电子的有效迁移率如下：

2。2。4  pn结击穿

对pn结施加反向偏压，当电压值达到极限值VBR时，反向电流密度会骤增，这种现象就是pn击穿[9]。pn结的击穿分为以下三种类型。

雪崩击穿是由于反向偏压增大，导致势垒区内的电子和空穴的动能增大，发生漂移，电子被撞击出来，成为导电电子，同时产生一个空穴。

隧道击穿是在强电作用下，大量的电子通过禁带，从价带到导带，并引起这种击穿。

热电击穿是由于反向饱和电流密度Js和结温循环促进增大，导致反向饱和电流密度Js无限增大，引起击穿。

2。3  几种半导体器件的性质和功能来`自+优-尔^论:文,网www.chuibin.com +QQ752018766-

2。3。1  场效应晶体管分类和优势

  场效应晶体管分为两类：①结场效应晶体管②MOS场效应晶体管。其中，结型场效应晶体管分为N沟道结型场效应晶体管和P沟道结型场效应晶体管，MOS场效应晶体管分为为四类：N沟耗尽型，P沟耗尽型，N沟增强型，P沟增强型[10]。