1700VSiCDMOS器件的优化仿真设计(6)
ΦFB=（KT/q）ln（NAmax/ni） (2-3)
由式2-1、2-2和2-3可知，对于如图2.4所示的VDMOS结构，其阈值电压Vth主要受P-base浓度、栅氧厚度和温度决定。P-base浓度越高，栅氧厚度越小，阈值电压Vth越小。图2.5、2.6展示了SiC Planar MOSFET的阈值电压Vth与P-base浓度、温度的关系[18]（其中栅氧厚度为25nm，实线表示温度300K，虚线表示400K，点线表示500K）：
图2.5 SiC和Si MOS阈值电压Vth与P-base浓度的关系
对于大多数系统，阈值电压要求在1V以上以免受噪声干扰。同时，阈值电压若太大会造成过多的功耗，绝大多数功率电子系统设计时要求阈值电压Vth不超过10V。
（2）导通电阻
对于VDMOS，导通电阻Ron是影响其最大输出功率的重要因素。除工艺参数外，导通电阻主要由元胞排列、元胞个数和几何形状及其尺寸等因素决定。如图2.4所示带CSL结构的VDMOS器件的单个元胞导通电阻由七个部分构成，如图2.6所示：
下一篇：Ka波段波导耦合器的设计与仿真